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Los investigadores de la Universidad de Pensylvania han creado un tipo del dispositivo de almacenaje de información nanowire-base que es capaz de almacenar valores de tres bits más bien que los dos habituales — es decir \"0\", \"1\", \"y 2\" en vez de sólo \"0\" \"y 1\". Esta capacidad podría conducir a una nueva generación de almacenaje de información de alta capacidad para dispositivos electrónicos.

Los esquemas de memoria nanowire-base convencionales han sido hasta ahora binario, como es la memoria a base de transistor tradicional. Además de la afectación de la densidad de memoria, un tipo nanowire-base no binario de memoria permitiría que menos nanowires fueran usados para conseguir una capacidad de almacenaje impresionante. Este podría permitir dispositivos electrónicos con memoria — y esto es, casi todos ellos — para hacerse más compacto. Además, con menos nanowires para trabajar, significa que la fabricación podría ser más simple.

Fuente: www.physorg.com/news134214217.html